TEC04-Nanoelectrónica
Terapias Avanzadas y Tecnologías Biomédicas / IBS-TEC04
La Electrónica es la ciencia que estudia y facilita el control del flujo de electrones a través del vacío, gases, líquidos y sólidos. Debido a su pequeña masa, los electrones responden con rapidez a campos eléctricos o magnéticos que se pueden aplicar de forma controlada con fuentes de voltaje, imanes permanentes, electroimanes, etcétera. Esto los convierte en partículas idóneas para la transmisión de energía. Si, además, la corriente de electrones se modula a voluntad formando pulsos eléctricos (paquetes formados por muchos electrones) podemos transmitir información usando ciertos códigos como ocurre con las transmisiones telegráficas, telefónicas o telemáticas. Los electrones también pueden acelerarse fácilmente, provocando la emisión de ondas electromagnéticas. Estas ondas también son capaces de transmitir señales e información a grandes distancias. Esta facilidad para controlar el movimiento de los electrones ha inspirado y motivado a miles de científicos e ingenieros para construir equipos capaces de producir, detectar y manipular a voluntad las corrientes de electrones. Cuanto más pequeños son estos dispositivos de control, más pequeña es la distancia que recorren los electrones, más rápido se transmite la información y menor es el consumo de energía. Por lo tanto, la idea es reducir el tamaño de los dispositivos electrónicos cada vez más, en una tendencia que, empezando en los años 60, y denominada Ley de Moore, ha llegado hoy día a dispositivos con dimensiones de 7nm que forman parte de circuitos con más de 20.000 millones de transistores en un solo chip. Para poder explicar el comportamiento de los electrones en estos dispositivos es necesario recurrir a la Nanociencia y para fabricarlos, es necesario la aplicación de herramientas nanotecnológicas, dando así lugar a la Nanoelectrónica, es decir, la aplicación de la Nanociencia y Nanotecnología a la Electrónica. La Nanoelectrónica abarca un conjunto diverso de dispositivos y materiales con la característica común de que son tan pequeños que las interacciones inter-atómicas y las propiedades cuánticas juegan un papel fundamental en el funcionamiento de estos dispositivos. A escala nanométrica, adquieren un papel fundamental mecanismos y efectos que en al macromundo apenas son perceptibles.
Líneas de investigación
- Almacenamiento y memorias. Memorias magnéticas, memorias resistivas, memorias empotradas de un solo transistor.
- Desarrollo de bio-sensores para diagnóstico precoz de cáncer y enfermedades infecciosas.
- Diagnóstico en Medicina. Biosensores.
- Dispositivos nanoelectrónicos: Spintrónica, Optoelectrónica, Displays, heteroestructuras de Van-der-Waals. Electrónica molecular.
- Dispositivos para almacenamiento y conversión de energía. Nuevas células solares basadas en materiales bidimensionales. Supercondensadores.
- Materiales nanoelectrónicos. Nuevos materiales más allá del silicio. Materiales bidimensionales, grafeno, materiales ferroeléctricos.
- Microscopía de microondas para análisis de muestras histológicas
- Wearables y electrónica flexible. Circuitos flexibles sobre textiles
Palabras clave
Biosensores, diagnóstico Precoz, biopsia líquida
CARLOS NAVARRO MORAL
JOSE CARLOS GALDON GIL
JORGE PABLO AVILA GOMEZ
PAULA MARTINEZ MAZON
ELSA DE LA FUENTE ZAPICO
CARLOS SAMPEDRO MATARIN
LUCA DONETTI
FRANCISCO JESUS GAMIZ PEREZ
CARLOS MARQUEZ GONZALEZ
CRISTINA MEDINA BAILON
SANTIAGO NAVARRO MORAL
JOSE LUIS PADILLA DE LA TORRE
Description of Gate-to-Channel Tunneling Leakage Mechanism in a 2D Monte Carlo Simulator
2023 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, SISPAD, 2023;
3D-TCAD benchmark of two-gate dual-doped Reconfigurable FETs on FDSOI28 technology
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2023;
FI:1,7; Q3
Editorial to Letters from SISPAD-2022
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2023;
FI:1,7; Q3
Liquid-gate 2D material-on-insulator transistors for sensing applications
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2023;
FI:1,7; Q3
Simulation of BioGFET sensors using TCAD
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2023;
FI:1,7; Q3
A Mixed Methods Approach to the Analysis of Bias in Cross-cultural Studies
SOCIOLOGICAL METHODS & RESEARCH, 2022;
FI:4,677; Q1
MicroRNA Regulation of the Environmental Impact on Adolescent Neurobehavioral Development: A Systematic Review
FRONTIERS IN CELLULAR NEUROSCIENCE, 2022;
FI:6,147; Q1
Influence of Punch Trough Stop Layer and Well Depths on the Robustness of Bulk FinFETs to Heavy Ions Impact
IEEE ACCESS, 2022;
FI:3,476; Q2
Validation of AQoL-8D: a health-related quality of life questionnaire for adult patients referred for otolaryngology
EUROPEAN ARCHIVES OF OTO-RHINO-LARYNGOLOGY, 2022;
FI:3,236; Q2
Analysis of the Reformulated Source to Drain Tunneling Probability for Improving the Accuracy of a Multisubband Ensemble Monte Carlo Simulator
MICROMACHINES, 2022;
FI:3,523; Q3
Comprehensive Analytical Modelling of an Absolute pH Sensor
SENSORS, 2021;
FI:3,576; Q1
A Review of Sharp-Switching Band-Modulation Devices
MICROMACHINES, 2021;
FI:2,891; Q2
Full-band quantum transport simulation in the presence of hole-phonon interactions using a mode-spacek center dot papproach
NANOTECHNOLOGY, 2021;
FI:3,874; Q2
Hysteresis in As-Synthesized MoS2 Transistors: Origin and Sensing Perspectives
MICROMACHINES, 2021;
FI:2,891; Q2
Improved Retention Characteristics of Z(2)-FET Employing Half Back-Gate Control
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021;
FI:2,917; Q2
Detection of COVID-19 disease using graphene-based biosensors
BOLETIN DEL GRUPO ESPANOL DEL CARBON, 2020;
Active Radiation-Hardening Strategy in Bulk FinFETs
IEEE ACCESS, 2020;
FI:3,745; Q1
Dual PN Source/Drain Reconfigurable FET for Fast and Low-Voltage Reprogrammable Logic
IEEE ACCESS, 2020;
FI:3,745; Q1
Investigating the transient response of Schottky barrier back-gated MoS2 transistors
2D MATERIALS, 2020;
FI:7,14; Q1
Memory Operations of Zero Impact Ionization, Zero Subthreshold Swing FET Matrix Without Selectors
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020;
FI:4,221; Q1
On the Low-Frequency Noise Characterization of Z(2)-FET Devices
IEEE ACCESS, 2019;
FI:4,098; Q1
Simulation Perspectives of Sub-1V Single-Supply Z(2)-FET 1T-DRAM Cells for Low-Power
IEEE ACCESS, 2019;
FI:4,098; Q1
Reliability Study of Thin-Oxide Zero-Ionization, Zero-Swing FET 1T-DRAM Memory Cell
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019;
FI:3,753; Q1
Multisubband Ensemble Monte Carlo Analysis of Tunneling Leakage Mechanisms in Ultrascaled FDSOI, DGSOI, and FinFET Devices
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019;
FI:2,704; Q2
3-D TCAD Study of the Implications of Channel Width and Interface States on FD-SOI Z(2)-FETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019;
FI:2,704; Q2
Which drivers are at risk? Factors that determine the profile of the reoffender driver
ACCIDENT ANALYSIS AND PREVENTION, 2018;
FI:2,584; D1
Mechanical and thermal properties of graphene modified asphalt binders
CONSTRUCTION AND BUILDING MATERIALS, 2018;
FI:3,485; D1
Reconfigurable electronics: Addressing the uncontrolled increase of waste electrical and electronic equipment
RESOURCES CONSERVATION AND RECYCLING, 2018;
FI:5,12; D1
Confinement-induced InAs/GaSb heterojunction electron-hole bilayer tunneling field-effect transistor
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018;
FI:3,495; Q1
Experimental Demonstration of Operational Z(2)-FET Memory Matrix
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018;
FI:3,433; Q1
Human Neuro-Activity for Securing Body Area Networks: Application of Brain-Computer Interfaces to People-Centric Internet of Things
IEEE COMMUNICATIONS MAGAZINE, 2017;
FI:10,435; D1
High Photocurrent in Gated Graphene-Silicon Hybrid Photodiodes
ACS PHOTONICS, 2017;
FI:6,756; D1
Electromagnetic Near-Field Inhomogeneity Reduction for Image Acquisition Optimization in High-Resolution Multi-Channel Magnetic Resonance Imaging (MRI) Systems
IEEE ACCESS, 2017;
FI:3,244; Q1
Electrostatic performance of InSb, GaSb, Si and Ge p-channel nanowires
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017;
FI:2,588; Q2
Implementation of Band-to-Band Tunneling Phenomena in a Multisubband Ensemble Monte Carlo Simulator: Application to Silicon TFETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017;
FI:2,605; Q2
Comment on “Optimization of a Pocketed Dual-Metal-Gate TFET by Means of TCAD Simulations Accounting for Quantization-Induced Bandgap Widening”
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016;
FI:2,207; Q1
Reactivity Enhancement and Fingerprints of Point Defects on a MoS2 Monolayer Assessed by ab Initio Atomic Force Microscopy
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2016;
FI:4,509; Q1
Quantum Mechanical Confinement in the Fin Electron-Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016;
FI:2,207; Q1
Switching Behavior Constraint in the Heterogate Electron-Hole Bilayer Tunnel FET: The Combined Interplay Between Quantum Confinement Effects and Asymmetric Configurations
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016;
FI:2,207; Q1
Trends and Challenges for Methodology
METHODOLOGY-EUROPEAN JOURNAL OF RESEARCH METHODS FOR THE BEHAVIORAL AND SOCIAL SCIENCES, 2016;
FI:1,935; Q1
Analytic Potential and Charge Model of Semiconductor Quantum Wells
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015;
FI:2,472; Q1
Assessment of pseudo-bilayer structures in the heterogate germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015;
FI:3,302; Q1
Comment on ‘Germanium electron-hole bilayer tunnel field-effect transistors with a symmetrically arranged double gate’
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015;
FI:2,19; Q1
Impact of Asymmetric Configurations on the Heterogate Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel FET Including Quantum Confinement
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015;
FI:2,472; Q1
Impact of the Back-Gate Biasing on Trigate MOSFET Electron Mobility
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015;
FI:2,472; Q1
Stand-to: Plataforma ultrasensible basada en grafeno para el diagnóstico precoz del cáncer (Alerta)
Financiador: INSTITUTO DE SALUD CARLOS III - FEDER
Número de expediente: DTS20/00038
Tiempo de ejecución: 01/01/2021 - 31/12/2022
IP: FRANCISCO JESUS GAMIZ PEREZ
Electrodos Micromallados de Óxido de Grafeno Reducido por Láser para Dispositivos Fotovoltaicos Flexibles de Bajo Coste
Financiador: FUNDACION IBERDROLA
Número de expediente: IBERDROLA2018
Tiempo de ejecución: 01/09/2018 - 01/09/2019
IP: Electrodos Micromallados de Óxido de Grafeno Reducido por Láser para Dispositivos Fotovoltaicos Flexibles de Bajo Coste
SELFSENS – Printed SELF-power platform for gas SENSing monitoring
Financiador: COMISION EUROPEA
Número de expediente: 794885
Tiempo de ejecución: 01/10/2018 - 30/09/2020
IP: SELFSENS – Printed SELF-power platform for gas SENSing monitoring
