Resistive switching in HfO2 based valence change memories, a comprehensive 3D kinetic Monte Carlo approach
FI: 3,169
Tipo: Article
Colaboración
Año: 2020
Autores
Aldana, S; Garcia-Fernandez, P; Romero-Zaliz, R; Gonzalez, MB; Jimenez-Molinos, F; Gomez-Campos, F; Campabadal, F; Roldan, JB
Revista
Título: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
Cuartil
- Q2