Reliability Study of Thin-Oxide Zero-Ionization, Zero-Swing FET 1T-DRAM Memory Cell

Artículo original

Año: 2019

Navarro, S; Navarro, C; Marquez, C; Salazar, N; Galy, P; Cristoloveanu, S; Gamiz, F

Título: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

• Q1