Reliability Study of Thin-Oxide Zero-Ionization, Zero-Swing FET 1T-DRAM Memory Cell
FI: 3,753
Tipo: Article
Artículo original
Año: 2019
Autores
Navarro, S; Navarro, C; Marquez, C; Salazar, N; Galy, P; Cristoloveanu, S; Gamiz, F
Revista
Título: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Cuartil
- Q1