Quantum Mechanical Confinement in the Fin Electron-Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor
FI: 2,207
Tipo: Article
Artículo original
Año: 2016
Autores
Padilla, JL; Alper, C; Gamiz, F; Ionescu, AM
Revista
Título: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Cuartil
- Q1