On the influence of the back-gate bias on InGaAs Trigate MOSFETs

Tipo: Proceedings Paper

Inicio · TEC04-Nanoelectrónica

Artículo original

Año: 2016

Autores

Marin, EG; Ruiz, FG; Godoy, A; Gonzalez-Medina, JM; Tienda-Luna, IM; Toral, A; Gamiz, F

Revista

Título: 2016 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS 2016)