Memory Operations of Zero Impact Ionization, Zero Subthreshold Swing FET Matrix Without Selectors
FI: 4,221
Tipo: Article
Colaboración
Año: 2020
Autores
Kwon, S; Navarro, C; Galy, P; Cristoloveanu, S; Gamiz, F; Ahn, J; Kim, YT
Revista
Título: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Cuartil
- Q1