Investigation of thin gate-stack Z(2)-FET devices as capacitor-less memory cells
FI: 1,492
Tipo: Article
Artículo original
Año: 2019
Autores
Navarro, S; Marquez, C; Lee, KH; Navarro, C; Parihar, M; Park, H; Galy, P; Bawedin, M; Kim, YT; Cristoloveanu, S; Gamiz, F
Revista
Título: SOLID-STATE ELECTRONICS
Cuartil
- Q3