Improvement of AlGaN/GaN HEMTs Linearity Using Etched-Fin Gate Structure for Ka Band Applications

FI: 3,4
Tipo: Article

Inicio · TEC04-Nanoelectrónica

Colaboración

Año: 2023

Autores

Lee, MW; Lin, YC; Hsu, HT; Gamiz, F; Chang, EY

Revista

Título: MICROMACHINES

Cuartil

Q2