Improved Retention Characteristics of Z(2)-FET Employing Half Back-Gate Control
FI: 2,917
Tipo: Article
Colaboración
Año: 2021
Autores
Kwon, S; Navarro, C; Gamiz, F; Galy, P; Cristoloveanu, S; Kim, YT; Ahn, J
Revista
Título: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Cuartil
- Q2