Electrostatic performance of InSb, GaSb, Si and Ge p-channel nanowires
FI: 2,588
Tipo: Article
Artículo original
Año: 2017
Autores
Martinez-Blanque, C; Marin, EG; Toral, A; Gonzalez-Medina, JM; Ruiz, FG; Godoy, A; Gamiz, F
Revista
Título: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
Cuartil
- Q2