Competitive 1T-DRAM in 28 nm FDSOI Technology for Low-Power Embedded Memory

Tipo: Proceedings Paper

Inicio · TEC04-Nanoelectrónica

Colaboración

Año: 2016

Autores

El Dirani, H; Bawedin, M; Lee, K; Parihar, M; Mescot, X; Fonteneau, P; Galy, P; Gamiz, F; Kim, YT; Ferrari, P; Cristoloveanu, S

Revista

Título: 2016 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)