Capacitor-less dynamic random access memory based on a III-V transistor with a gate length of 14 nm

Tipo: Article

Inicio · TEC04-Nanoelectrónica

Artículo original

Año: 2019

Autores

Navarro, C; Karg, S; Marquez, C; Navarro, S; Convertino, C; Zota, C; Czornomaz, L; Gamiz, F

Revista

Título: NATURE ELECTRONICS