3D-TCAD benchmark of two-gate dual-doped Reconfigurable FETs on FDSOI28 technology
FI: 1,7
Tipo: Article
Artículo original
Año: 2023
Autores
Navarro, C; Donetti, L; Padilla, JL; Medina-Bailon, C; Galdon, JC; Marquez, C; Sampedro, C; Gamiz, F
Revista
Título: SOLID-STATE ELECTRONICS
Cuartil
- Q3