Gate Leakage Tunneling Impact on the InAs/GaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor

Artículo original

Año: 2018

Padilla, JL; Medina-Bailon, CM; Marquez, C; Sampedro, C; Donetti, L; Gamiz, F; Ionescu, AM

Título: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

• Q2