A 3D kinetic Monte Carlo simulation study of resistive switching processes in Ni/HfO2/Si-n(+)-based RRAMs
FI: 2,588
Tipo: Article
Colaboración
Año: 2017
Autores
Aldana, S; Garcia-Fernandez, P; Rodriguez-Fernandez, A; Romero-Zaliz, R; Gonzalez, MB; Jimenez-Molinos, F; Campabadal, F; Gomez-Campos, F; Roldan, JB
Revista
Título: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
Cuartil
- Q2
